IRF7240TRPBF 与 AO4485 区别
| 型号 | IRF7240TRPBF | AO4485 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7240TRPBF | A36-AO4485 | ||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | - | 180 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@10.5A,10V | 15mΩ@-10A,-10V | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 20mΩ | ||||||||||
| Qgd(nC) | - | 8.6 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V | - | ||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 9.4 | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 10.5A | -10A | ||||||||||
| Ciss(pF) | - | 2500 | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 9250pF | - | ||||||||||
| Trr(ns) | - | 38 | ||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 55 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | -40V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 1.7W | ||||||||||
| Qrr(nC) | - | 47 | ||||||||||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||||
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 9250pF @ 25V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC | - | ||||||||||
| Coss(pF) | - | 260 | ||||||||||
| Qg*(nC) | - | 18.6 | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 37,895 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C |
¥1.727
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37,895 | 对比 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 75,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 24 | 对比 | ||||||||||||
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |