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IRF7240TRPBF  与  RS1G201ATTB1  区别

型号 IRF7240TRPBF RS1G201ATTB1
唯样编号 A-IRF7240TRPBF A33-RS1G201ATTB1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 3W(Ta),40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@10.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6890pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 8-SO 8-HSOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.5A -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9250pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9250pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20A(Ta),78A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 233
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥14.5557
50+ :  ¥10.0137
100+ :  ¥9.4483
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7240TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO

暂无价格 0 当前型号
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
750: ¥1.111
1,500: ¥1.0516
3,000: ¥1.001
33,256 对比
AO4485 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
AO4485_102 AOS  数据手册 功率MOSFET

10A(Ta) P-Channel ±20V 15 mΩ @ 10A,10V 8-SO 1.7W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 40V

暂无价格 0 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

¥14.5557 

阶梯数 价格
20: ¥14.5557
50: ¥10.0137
100: ¥9.4483
233 对比
RS1G201ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP

暂无价格 30 对比

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