IRF7240TRPBF 与 RS1G201ATTB1 区别
| 型号 | IRF7240TRPBF | RS1G201ATTB1 | ||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7240TRPBF | A32-RS1G201ATTB1-1 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO | MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 3W(Ta),40W(Tc) | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 6890pF @ 20V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-HSOP | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 10.5A | - | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5.2 毫欧 @ 20A,10V | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 15mΩ@10.5A,10V | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF | - | ||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta) | - | ||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P 通道 | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF @ 25V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 20A(Ta),78A(Tc) | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | - | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 130nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,250 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C |
￥1.632
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32,451 | 对比 | ||||||||||||
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AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
￥12.4275
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2,250 | 对比 |
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