IRF7240TRPBF 与 RS1G201ATTB1 区别
| 型号 | IRF7240TRPBF | RS1G201ATTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7240TRPBF | A3-RS1G201ATTB1 |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO | MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 3W(Ta),40W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@10.5A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 6890pF @ 20V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-HSOP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 5.2 毫欧 @ 20A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 40V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9250pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC @ 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 20A(Ta),78A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 40V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 110nC | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 130nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
AO4485 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -40V ±20V -10A 1.7W 15mΩ@-10A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
RS1G201ATTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 8-HSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
