IRF7204TRPBF 与 IRFD9120PBF 区别
| 型号 | IRF7204TRPBF | IRFD9120PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7204TRPBF | A3t-IRFD9120PBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 20 V 2.5 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@5.3A,10V | 600 mOhms @ 600mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 20V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Tc) | 1.3W |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±12V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | 4-DIP |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 1A(Ta) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 860pF @ 10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 860pF @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF7204TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@5.3A,10V P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SMBJ24CA-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS二极管 |
38.9V -55°C~150°C(TJ) DO-214AA(SMB) 24V 双向 |
暂无价格 | 39,750 | 对比 | ||||||||
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SI4463CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13.6A(Ta),49A(Tc) P-Channel 8 mOhms @ 13A,10V 2.7W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
¥3.949
|
1,451 | 对比 | ||||||||
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SMBJ24CA-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS二极管 |
38.9V -55°C~150°C(TJ) DO-214AA(SMB) 24V 双向 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRFD9120PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1A(Ta) P-Channel 600 mOhms @ 600mA,10V 1.3W 4-DIP -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SMBJ24CA-E3/52 | Vishay | 数据手册 | TVS二极管 |
38.9V -55°C~150°C(TJ) DO-214AA(SMB) 24V 双向 |
暂无价格 | 0 | 对比 |