IRF7204PBF 与 SI4463CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7204PBF | SI4463CDY-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7204PBF | A36-SI4463CDY-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Single P-Channel 20 V 2.5 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | P-Channel 60 V 0.008 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@5.3A,10V | 8 mOhms @ 13A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Tc) | 2.7W(Ta),5W(Tc) | ||||||
| Vgs(th) | - | 1.4V @ 250uA | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SOIC | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 5.3A | 13.6A(Ta),49A(Tc) | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 860pF @ 10V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | - | ±12V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 860pF @ 10V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,673 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF7204PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@5.3A,10V P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SI4463CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
13.6A(Ta),49A(Tc) P-Channel 8 mOhms @ 13A,10V 2.7W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 20V |
￥3.949
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1,673 | 对比 |
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