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IRF7105TRPBF  与  DMC3032LSD-13  区别

型号 IRF7105TRPBF DMC3032LSD-13
唯样编号 A-IRF7105TRPBF A36-DMC3032LSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N/P-Channel 25/25 V 2 W 9.4/10 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -SOIC-8 MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1A,10V -
漏源极电压Vds 25V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 32mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 404.5pF @ 15V
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3.5A,2.3A 8.1A,7A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.254
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1A,10V 2W N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.1A,7A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.254
800 对比
DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 8.1A,7A

暂无价格 0 对比

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