IRF7105TRPBF 与 DMC3032LSD-13 区别
| 型号 | IRF7105TRPBF | DMC3032LSD-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRF7105TRPBF | A36-DMC3032LSD-13 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual N/P-Channel 25/25 V 2 W 9.4/10 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -SOIC-8 | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@1A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 25V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 32mΩ@7A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 404.5pF @ 15V | ||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.2nC @ 10V | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.5A,2.3A | 8.1A,7A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 15V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,069 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF7105TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1A,10V 2W N+P-Channel 25V 3.5A,2.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 8.1A,7A |
￥1.2342
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3,069 | 对比 |
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