IRF7103TRPBF 与 SI9945BDY-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF7103TRPBF | SI9945BDY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF7103TRPBF | A3-SI9945BDY-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 130mΩ@3A,10V | 58mΩ |
| 零件号别名 | - | SI9945BDY-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 50V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 3.1W |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SO | SOIC-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3A | 4.3A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | 665pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | 20nC @ 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 30nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 130mΩ@3A,10V 2W N-Channel 50V 3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
QS6K21TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 2 N-通道(双) TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
|
|
QS6K21TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 2 N-通道(双) TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
DMN6070SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
80mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 60V 3.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
￥3.631
|
0 | 对比 | ||||
|
|
SI9945BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.1W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60V 4.3A 58mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
