IRF6727MTRPBF 与 IRF8301MTRPBF 区别
隐藏相同项高亮不同项

规格信息
型号	IRF6727MTRPBF	IRF8301MTRPBF
唯样编号	A-IRF6727MTRPBF	A-IRF8301MTRPBF
制造商	Infineon Technologies	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 30 V 1.7 mOhm 74 nC DirectFET Power MOSFET - DirectFET Isometric MX	N Channel 30 V 1.5 mO 89 W Surface Mount HexFet MosFet - DirectFET
数据表	IRF6727MTRPBF.pdf	IRF-IRF8301MPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.7mΩ@32A,10V	1.5mΩ@32A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),89W(Tc)	2.8W(Ta),89W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	DIRECTFET™ MX	DIRECTFET™ MT
工作温度	-40°C~150°C(TJ)	-40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	32A	34A
系列	HEXFET®	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA	2.35V @ 150µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6190pF @ 15V	6140pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	74nC @ 4.5V	77nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA	2.35V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6190pF @ 15V	6140pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	74nC @ 4.5V	77nC @ 4.5V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
IRF6727MTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 1.7mΩ@32A,10V N-Channel 30V 32A DIRECTFET™ MX	暂无价格	当前型号
IRF6894MTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	-40°C~150°C(TJ) DIRECTFET™ MX 25V 170A 1.7mΩ 16V 54W N-Channel	暂无价格	对比
IRF8301MTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 1.5mΩ@32A,10V N-Channel 30V 34A DIRECTFET™ MT	暂无价格	对比
IRF6726MTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 30V 32A(Ta),180A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) 1.7mΩ@32A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5	暂无价格	对比
IRF8302MTRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	N-Channel 30V 31A(Ta),190A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),104W(Tc) 1.8mΩ@31A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5	暂无价格	对比