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IRF6727MTRPBF  与  IRF6726MTRPBF  区别

型号 IRF6727MTRPBF IRF6726MTRPBF
唯样编号 A-IRF6727MTRPBF A-IRF6726MTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 1.7 mOhm 74 nC DirectFET Power MOSFET - DirectFET Isometric MX
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.7mΩ@32A,10V 1.7mΩ@32A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),89W(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DIRECTFET™ MX MG-WDSON-5
工作温度 -40°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 32A 32A(Ta),180A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6190pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 74nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA 2.35V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6190pF @ 15V 6140pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 74nC @ 4.5V 77nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF6727MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 1.7mΩ@32A,10V N-Channel 30V 32A DIRECTFET™ MX

暂无价格 0 当前型号
IRF6894MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-40°C~150°C(TJ) DIRECTFET™ MX 25V 170A 1.7mΩ 16V 54W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRF8301MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 1.5mΩ@32A,10V N-Channel 30V 34A DIRECTFET™ MT

暂无价格 0 对比
IRF6726MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 32A(Ta),180A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) 1.7mΩ@32A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5

暂无价格 0 对比
IRF8302MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 31A(Ta),190A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),104W(Tc) 1.8mΩ@31A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5

暂无价格 0 对比

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