首页 > 商品目录 > > > > IRF6717MTRPBF代替型号比较

IRF6717MTRPBF  与  BSB013NE2LXIXUMA1  区别

型号 IRF6717MTRPBF BSB013NE2LXIXUMA1
唯样编号 A-IRF6717MTRPBF A-BSB013NE2LXIXUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.8W(Ta),57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.25mΩ@38A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 25V -
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),96W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4400pF @ 12V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 MG-WDSON-5 3-WDSON
连续漏极电流Id 38A(Ta),200A(Tc) -
工作温度 -40°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.3 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 36A(Ta),163A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6750pF @ 13V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF6717MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 25V 38A(Ta),200A(Tc) ±20V 2.8W(Ta),96W(Tc) 1.25mΩ@38A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5

暂无价格 0 当前型号
BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSB012NE2LXI_N 通道 3-WDSON -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSB012NE2LXI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSB012NE2LXIXUMA1_25V 170A 1mΩ 20V N-Channel -40°C ~ 150°C

暂无价格 0 对比
BSB013NE2LXI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSB013NE2LXIXUMA1_25V 163A 1.3mΩ 20V N-Channel -40°C ~ 150°C

暂无价格 0 对比
BSB008NE2LXXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSB008NE2LX_N 通道 3-WDSON -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSB013NE2LXIXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSB013NE2LXI_N 通道 3-WDSON -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售