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IRF6716MTRPBF  与  IRF6893MTRPBF  区别

型号 IRF6716MTRPBF IRF6893MTRPBF
唯样编号 A-IRF6716MTRPBF A-IRF6893MTRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ@40A,10V 1.6mΩ@29A,10V
漏源极电压Vds 25V 25V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),78W(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 MG-WDSON-5 MG-WDSON-5
连续漏极电流Id 39A(Ta),180A(Tc) 29A(Ta),168A(Tc)
工作温度 -40°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 100µA 2.1V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5150pF @ 13V 3480pF @ 13V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V 38nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF6716MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 25V 39A(Ta),180A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),78W(Tc) 1.6mΩ@40A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5

暂无价格 0 当前型号
IRF6893MTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 25V 29A(Ta),168A(Tc) ±16V 2.1W(Ta),69W(Tc) 1.6mΩ@29A,10V -40°C~150°C(TJ) MG-WDSON-5

暂无价格 0 对比

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