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IRF6644TRPBF  与  IRF6644  区别

型号 IRF6644TRPBF IRF6644
唯样编号 A-IRF6644TRPBF A-IRF6644
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10.3A,10V 13mΩ@10.3A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W(Ta),89W(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DIRECTFET™ MN MG-WDSON-5
工作温度 -40°C~150°C(TJ) -40°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A 10.3A(Ta),60A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.8V @ 150µA 4.8V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2210pF @ 25V 2210pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 10V 47nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF6644TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.8W(Ta),89W(Tc) -40°C~150°C(TJ) 13mΩ@10.3A,10V N-Channel 100V 10.3A DIRECTFET™ MN

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