IRF640NSTRRPBF 与 SIHF640STRR-GE3 区别
| 型号 | IRF640NSTRRPBF | SIHF640STRR-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF640NSTRRPBF | A3t-SIHF640STRR-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ@11A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 150W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 18A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 67nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 67nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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IRF640NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RCJ160N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 16A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 180mΩ@8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥12.9267
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A TO-263 |
暂无价格 | 800 | 对比 | ||||||||||||||
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RCJ160N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 16A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 180mΩ@8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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SIHF640STRR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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