IRF640NSTRRPBF 与 RCJ160N20TL 区别
| 型号 | IRF640NSTRRPBF | RCJ160N20TL | ||||||
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| 唯样编号 | A-IRF640NSTRRPBF | A32-RCJ160N20TL-1 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 150W(Tc) | 1.56W(Ta),40W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB | ||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 18A | 16A(Tc) | ||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 25V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 67nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 5.25V @ 1mA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1160pF @ 25V | 1370pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 150mΩ@11A,10V | 180mΩ@8A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 67nC @ 10V | 26nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IRF640NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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RCJ160N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 16A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 180mΩ@8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥14.6083
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1,000 | 对比 | ||||||||||||
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RCJ160N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 16A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 180mΩ@8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥9.8316
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900 | 对比 | ||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 150W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@11A,10V N-Channel 200V 18A TO-263 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RCJ160N20TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 200V 16A(Tc) ±30V 1.56W(Ta),40W(Tc) 180mΩ@8A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIHF640STRR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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