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IRF630PBF  与  IRF630  区别

型号 IRF630PBF IRF630
唯样编号 A-IRF630PBF A3-IRF630
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB) MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ -
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 74W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 9A -
系列 IRF -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF630PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ

暂无价格 0 当前型号
IRF630NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥5.599 

阶梯数 价格
9: ¥5.599
23 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
BUZ73AE3046XK Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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