尊敬的客户:端午节5月31日至6月2日我司放假,放假期间网站可自助下单,节后将按订单先后顺序安排,给您带来的不便,敬请谅解!
首页 > 商品目录 > > > > IRF630PBF代替型号比较

IRF630PBF  与  IRF630NPBF  区别

型号 IRF630PBF IRF630NPBF
唯样编号 A-IRF630PBF A-IRF630NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.4 O 43 nC Power Mosfet - TO-220-3 (TO-220AB)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 400mΩ 300mΩ
上升时间 - 14ns
Qg-栅极电荷 - 23.3nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 4.9S
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 9.3A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 15ns
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 74W(Tc) 82W
典型关闭延迟时间 - 27ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 IRF HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 25V 575pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V 35nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 7.9ns
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF630PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 74W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 200V 9A 400mΩ

暂无价格 0 当前型号
IRF630NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥5.599 

阶梯数 价格
9: ¥5.599
23 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IRF630 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
BUZ73AE3046XK Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售