IRF5802TRPBF 与 SI3440DV-T1-GE3 区别
| 型号 | IRF5802TRPBF | SI3440DV-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF5802TRPBF | A3t-SI3440DV-T1-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 150 V 0.375 O 8 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@540mA,10V | 375mΩ |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1.14W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | Micro6™(TSOP-6) | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 0.9A | 1.5A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 88pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | 8nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 6V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 88pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF5802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 1.2Ω@540mA,10V N-Channel 150V 0.9A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 65 | 对比 | ||||
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.2A(Ta) N-Channel 375 mOhms @ 1.5A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 150V |
￥2
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0 | 对比 | ||||
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.2A(Ta) N-Channel 375 mOhms @ 1.5A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 150V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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