IRF5802TRPBF 与 SI3440DV-T1-E3 区别
| 型号 | IRF5802TRPBF | SI3440DV-T1-E3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF5802TRPBF | A-SI3440DV-T1-E3 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 150 V 0.375 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2Ω@540mA,10V | 375 mOhms @ 1.5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1.14W(Ta) | ||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | Micro6™(TSOP-6) | TSOT-23-6 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 0.9A | 1.2A(Ta) | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 88pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | - | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5.5V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 88pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.8nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF5802TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 1.2Ω@540mA,10V N-Channel 150V 0.9A Micro6™(TSOP-6) |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||
|
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 65 | 对比 | ||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.14W(Ta) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 150V 1.5A 375mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.2A(Ta) N-Channel 375 mOhms @ 1.5A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 150V |
￥2
|
0 | 对比 | ||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.2A(Ta) N-Channel 375 mOhms @ 1.5A,10V 1.14W(Ta) TSOT-23-6 -55°C~150°C 150V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
