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IRF540ZLPBF  与  IPI47N10SL26AKSA1  区别

型号 IRF540ZLPBF IPI47N10SL26AKSA1
唯样编号 A-IRF540ZLPBF A-IPI47N10SL26AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 92 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262 MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 175W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 26.5mΩ@22A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2500pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-262 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 36A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 135nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 92W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 2mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 47A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF540ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26.5mΩ@22A,10V N-Channel 100V 36A TO-262

暂无价格 0 当前型号
IRF540NLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A TO-262

暂无价格 0 对比
SPI10N10 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI50N10S3L16AKSA1_100V 50A 15.4mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPI47N10S33AKSA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI47N10SL-26_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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