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IRF540ZLPBF  与  IPI47N10S-33  区别

型号 IRF540ZLPBF IPI47N10S-33
唯样编号 A-IRF540ZLPBF A-IPI47N10S-33
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 92 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 26.5mΩ@22A,10V 33mΩ
上升时间 - 23ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-262 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 36A 47A
配置 - Single
长度 - 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
高度 - 9.45mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 92W(Tc) 175W
典型关闭延迟时间 - 63ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 25ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF540ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26.5mΩ@22A,10V N-Channel 100V 36A TO-262

暂无价格 0 当前型号
IRF540NLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 130W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 44mΩ@16A,10V N-Channel 100V 33A TO-262

暂无价格 0 对比
SPI10N10 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPI50N10S3L-16 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI50N10S3L16AKSA1_100V 50A 15.4mΩ 20V 100W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPI47N10S33AKSA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI47N10SL-26_N 通道 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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