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IRF540NSTRLPBF  与  BUK9610-100B,118  区别

型号 IRF540NSTRLPBF BUK9610-100B,118
唯样编号 A-IRF540NSTRLPBF A-BUK9610-100B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 BUK Series 100 V 9.7 MOhm 300W 86nC N-Channel TrenchMOS Logic Level FET TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 44mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 130W(Tc) 300W
输出电容 - 676pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3 SOT404
连续漏极电流Id 33A(Tc) 75A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1960pF @ 25V -
输入电容 - 8284pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 11mΩ@4.5V,9.7mΩ@10V,10mΩ@5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF540NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 33A(Tc) ±20V 130W(Tc) 44mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3

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