IRF530NSTRLPBF 与 MBE04140C4993FC100 区别
| 型号 | IRF530NSTRLPBF | MBE04140C4993FC100 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF530NSTRLPBF | A3t-MBE04140C4993FC100 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC 70 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@9A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.8W(Ta),70W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 17A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 920pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 920pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF530NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),70W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 90mΩ@9A,10V N-Channel 100V 17A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
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BUK9675-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 98W -55°C~175°C ±15V 100V 23A |
暂无价格 | 281 | 对比 |
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|
PHB18NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 79W 175°C 3V 100V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
MBE04140C4993FC100 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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|
SIHL530STRR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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