首页 > 商品目录 > > > > IRF530NSTRLPBF代替型号比较

IRF530NSTRLPBF  与  PHB18NQ10T,118  区别

型号 IRF530NSTRLPBF PHB18NQ10T,118
唯样编号 A-IRF530NSTRLPBF A-PHB18NQ10T,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC 70 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@9A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),70W(Tc) 79W
输出电容 - 103pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 17A 18A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V -
输入电容 - 633pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 90mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 920pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V -
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF530NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),70W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 90mΩ@9A,10V N-Channel 100V 17A D2PAK

暂无价格 800 当前型号
BUK9675-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 98W -55°C~175°C ±15V 100V 23A

暂无价格 281 对比
BUK9675-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 98W -55°C~175°C ±15V 100V 23A

暂无价格 0 对比
PHB18NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 79W 175°C 3V 100V 18A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售