IRF530NSTRLPBF 与 BUK9675-100A,118 区别
| 型号 | IRF530NSTRLPBF | BUK9675-100A,118 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-IRF530NSTRLPBF | A-BUK9675-100A,118 | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 90 mOhm 37 nC 70 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 3.8W(Ta),70W(Tc) | 98W | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||||
| 输出电容 | - | 129pF | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±15V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 23A | ||||||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 920pF @ 25V | - | ||||||||
| 输入电容 | - | 1278pF | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 920pF @ 25V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 90mΩ@9A,10V | 72mΩ@10A,10V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 37nC @ 10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 281 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRF530NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),70W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 90mΩ@9A,10V N-Channel 100V 17A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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BUK9675-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 72mΩ@10A,10V 98W -55°C~175°C ±15V 100V 23A |
￥17.3089
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281 | 对比 | ||||||||||
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PHB18NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 90mΩ@10V 79W 175°C 3V 100V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIHL530STRR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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MBE04140C4993FC100 | Vishay | 数据手册 | 插件电阻 |
车规/金属膜电阻 4.2*11.9mm 499K Ohms 1W 600V ±1% |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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