IRF5305PBF 与 SUP53P06-20-GE3 区别
| 型号 | IRF5305PBF | SUP53P06-20-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF5305PBF | A3t-SUP53P06-20-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 55 V 110 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | SUP53P06 Series 60 V 0.0195 Ohm Flange Mount P-Channel MOSFET - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 110W(Tc) | 3.1W(Ta),104.2W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V |
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 31A | 9.2A(Ta),53A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1200pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 60mΩ@16A,10V | 19.5 mOhms @ 30A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF5305PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 60mΩ@16A,10V P-Channel 55V 31A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SUP53P06-20-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
9.2A(Ta),53A(Tc) P-Channel 19.5 mOhms @ 30A,10V 3.1W(Ta),104.2W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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