IRF5210STRLPBF 与 RSJ250P10TL 区别
| 型号 | IRF5210STRLPBF | RSJ250P10TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF5210STRLPBF | A3-RSJ250P10TL |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V | 45mΩ@-25A,-10V |
| 上升时间 | - | 67ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | -100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta) | 50W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 310ns |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | 38A | 25A |
| 系列 | - | RSJ250P10 |
| 下降时间 | - | 180ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 30ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 1,045 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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IRF5210STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A |
暂无价格 | 800 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
￥23.3619
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2,655 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
暂无价格 | 1,045 | 对比 | ||||||||||||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
￥19.514
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90 | 对比 | ||||||||||||||||||
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AUIRF5210STRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||||
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IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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