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IRF5210STRLPBF  与  RSJ250P10TL  区别

型号 IRF5210STRLPBF RSJ250P10TL
唯样编号 A-IRF5210STRLPBF A3-RSJ250P10TL
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.1W(Ta) 50W
上升时间 - 67ns
漏源极电压Vds 100V -100V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 - 310ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 38A 25A
系列 - RSJ250P10
下降时间 - 180ns
典型接通延迟时间 - 30ns
导通电阻Rds(On) 60mΩ@38A,10V 45mΩ@-25A,-10V
库存与单价
库存 0 1,045
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF5210STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A

暂无价格 0 当前型号
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

¥18.5324 

阶梯数 价格
9: ¥18.5324
50: ¥12.9171
100: ¥12.1505
300: ¥11.6235
500: ¥11.5277
1,000: ¥11.451
1,840 对比
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

暂无价格 1,045 对比
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

¥18.0287 

阶梯数 价格
100: ¥18.0287
500: ¥16.6036
1,000: ¥13.8957
1,000 对比
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

¥19.514 

阶梯数 价格
1: ¥19.514
100: ¥11.2791
1,000: ¥7.151
90 对比
AUIRF5210STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规

暂无价格 0 对比

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