首页 > 商品目录 > > > > IRF5210STRLPBF代替型号比较

IRF5210STRLPBF  与  IRF5210STRRPBF  区别

型号 IRF5210STRLPBF IRF5210STRRPBF
唯样编号 A-IRF5210STRLPBF A-IRF5210STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@38A,10V 60mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) 3.1W(Ta),170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 38A 38A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2780pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2780pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF5210STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A

暂无价格 800 当前型号
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

暂无价格 1,045 对比
RSJ250P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel

¥19.514 

阶梯数 价格
1: ¥19.514
100: ¥11.2791
1,000: ¥7.151
90 对比
AUIRF5210STRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规

暂无价格 0 对比
IRF5210STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售