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IRF4905STRRPBF  与  AOB411L  区别

型号 IRF4905STRRPBF AOB411L
唯样编号 A-IRF4905STRRPBF A36-AOB411L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 170 W 180 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 234
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@42A,10V 16.5mΩ@-20A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 22mΩ
Qgd(nC) - 18
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 17.5
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 74A -78A
Ciss(pF) - 5330
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF -
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 83.5
漏源极电压Vds 55V -60V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 187W
Qrr(nC) - 165
VGS(th) - -2.5
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC -
Coss(pF) - 483
Qg*(nC) - 40
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4905STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB411L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比
AOB411L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 P-Channel -60V ±20V -78A 187W 16.5mΩ@-20A,-10V -55℃~175℃

暂无价格 0 对比

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