IRF4905STRRPBF 与 AOB411L 区别
| 型号 | IRF4905STRRPBF | AOB411L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF4905STRRPBF | A-AOB411L |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 55 V 170 W 180 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 234 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@42A,10V | 16.5mΩ@-20A,-10V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 22mΩ |
| Qgd(nC) | - | 18 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| Td(on)(ns) | - | 17.5 |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 74A | -78A |
| Ciss(pF) | - | 5330 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3500pF | - |
| Trr(ns) | - | 27 |
| Td(off)(ns) | - | 83.5 |
| 漏源极电压Vds | 55V | -60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 170W(Tc) | 187W |
| Qrr(nC) | - | 165 |
| VGS(th) | - | -2.5 |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3500pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC | - |
| Coss(pF) | - | 483 |
| Qg*(nC) | - | 40 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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