IRF4905STRLPBF 与 IRF4905STRRPBF 区别
| 型号 | IRF4905STRLPBF | IRF4905STRRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF4905STRLPBF | A-IRF4905STRRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 55 V 3.8 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | Single P-Channel 55 V 170 W 180 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@42A,10V | 20mΩ@42A,10V |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 170W(Tc) | 170W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | 10V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263 | D2PAK |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 74A | 74A |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3500pF @ 25V | 3500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | 180nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3500pF @ 25V | 3500pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | 180nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF4905STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A TO-263 |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
|
|
IRF4905STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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