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IRF4905STRLPBF  与  IRF4905STRRPBF  区别

型号 IRF4905STRLPBF IRF4905STRRPBF
唯样编号 A-IRF4905STRLPBF A-IRF4905STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 3.8 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 Single P-Channel 55 V 170 W 180 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@42A,10V 20mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 170W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263 D2PAK
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 74A 74A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V 3500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 25V 3500pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 180nC @ 10V 180nC
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4905STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A TO-263

暂无价格 800 当前型号
IRF4905STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 20mΩ@42A,10V P-Channel 55V 74A D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB411L_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

8A(Ta),78A(Tc) P-Channel ±20V 16.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 187W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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