首页 > 商品目录 > > > > IRF4104SPBF代替型号比较

IRF4104SPBF  与  BUK768R1-40E,118  区别

型号 IRF4104SPBF BUK768R1-40E,118
唯样编号 A-IRF4104SPBF A-BUK768R1-40E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 200 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 96W
输出电容 - 260pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 120A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
输入电容 - 1300pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.2mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥7.234
400+ :  ¥5.9295
800+ :  ¥5.1561
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4104SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB80N06S405ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK768R1-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-40E_SOT404 N-Channel 96W 175℃ 3V 40V 75A

¥7.234 

阶梯数 价格
200: ¥7.234
400: ¥5.9295
800: ¥5.1561
0 对比
IPB015N04NGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB015N04N G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售