首页 > 商品目录 > > > > IRF4104SPBF代替型号比较

IRF4104SPBF  与  AUIRF4104S  区别

型号 IRF4104SPBF AUIRF4104S
唯样编号 A-IRF4104SPBF A-AUIRF4104S
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 200 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@75A,10V 1.4mΩ
上升时间 - 130ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 77ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V 3000pF
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 140W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 100nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4104SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9606-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-40B_SOT404 N-Channel 203W 175°C 1.5V 40V 75A

¥17.5899 

阶梯数 价格
180: ¥17.5899
400: ¥13.7421
800: ¥11.264
0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9609-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-40B_SOT404 N-Channel 157W 175°C 1.5V 40V 75A

¥9.2796 

阶梯数 价格
200: ¥9.2796
400: ¥7.6063
800: ¥6.6141
0 对比
AUIRF4104S Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 120A 1.4mΩ 20V 140W N-Channel TO-252-3 40V 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售