IRF4104PBF 与 PSMN1R5-40PS,127 区别
| 型号 | IRF4104PBF | PSMN1R5-40PS,127 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF4104PBF | A-PSMN1R5-40PS,127 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 140W(Tc) | 338W | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| 输出电容 | - | 2042pF | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220AB | SOT78 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C | ||
| 连续漏极电流Id | 120A | 150A | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3000pF @ 25V | - | ||
| 输入电容 | - | 9710pF | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3000pF @ 25V | - | ||
| 导通电阻Rds(On) | 5.5mΩ@75A,10V | 1.6mΩ@10V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IRF4104PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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PSMN1R5-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 1.6mΩ@10V 338W 175°C 3V 40V 150A |
￥27.3375
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0 | 对比 | ||||||
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IRF1104PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@60A,10V N-Channel 40V 100A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN4R5-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 4.6mΩ@10V 148W 175°C 3V 40V 100A |
￥7.2679
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0 | 对比 | ||||||
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PSMN1R5-40PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 1.6mΩ@10V 338W 175°C 3V 40V 150A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF2804PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.3mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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