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IRF3808STRLPBF  与  PSMN008-75B,118  区别

型号 IRF3808STRLPBF PSMN008-75B,118
唯样编号 A-IRF3808STRLPBF A-PSMN008-75B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF3808S Series N-Channel 75 V 7 mO 200 W HEXFET MosFet Surface Mount - D2-PAK-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@82A,10V -
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 230W
输出电容 - 525pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 106A 75A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
输入电容 - 5260pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥9.705
400+ :  ¥7.9549
800+ :  ¥6.9173
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3808STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥13.6982 

阶梯数 价格
1: ¥13.6982
100: ¥10.3774
400: ¥8.5061
800: ¥7.3966
40 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN008-75B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN008-75B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥9.705 

阶梯数 价格
200: ¥9.705
400: ¥7.9549
800: ¥6.9173
0 对比

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