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IRF3808STRLPBF  与  BUK766R0-60E,118  区别

型号 IRF3808STRLPBF BUK766R0-60E,118
唯样编号 A-IRF3808STRLPBF A-BUK766R0-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF3808S Series N-Channel 75 V 7 mO 200 W HEXFET MosFet Surface Mount - D2-PAK-3 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@82A,10V -
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 182W
输出电容 - 447pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 106A 75A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
输入电容 - 3390pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 40
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥11.983
100+ :  ¥8.8763
400+ :  ¥7.5223
800+ :  ¥6.9012
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3808STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@82A,10V N-Channel 75V 106A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
BUK766R0-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK766R0-60E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 60V 75A

¥11.983 

阶梯数 价格
10: ¥11.983
100: ¥8.8763
400: ¥7.5223
800: ¥6.9012
40 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9609-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-75A_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 1.5V 75V 75A

¥14.0179 

阶梯数 价格
210: ¥14.0179
400: ¥11.8796
800: ¥10.8987
0 对比

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