IRF3808PBF 与 STP80N6F6 区别
| 型号 | IRF3808PBF | STP80N6F6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF3808PBF | A3-STP80N6F6 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 110A TO220 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 4.4mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7mΩ | - |
| 漏源极电压Vds | 75V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 330W | - |
| Qg-栅极电荷 | 150nC | - |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 140A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5310pF @ 25V | - |
| 长度 | 10mm | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5310pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - |
| 高度 | 15.65mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 13,950 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3808PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 140A 7mΩ 20V 330W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP75NF75 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 42,600 | 对比 |
|
|
STP80N6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 13,950 | 对比 |
|
STP140NF75 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A |
暂无价格 | 5,400 | 对比 |
|
AOT472 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 75V 10A(Ta),140A(Tc) 8.9mΩ@30A,10V TO220 417W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
