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IRF3808PBF  与  PSMN5R0-80PS,127  区别

型号 IRF3808PBF PSMN5R0-80PS,127
唯样编号 A-IRF3808PBF A-PSMN5R0-80PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 330 W 220 nC Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ -
Qg-栅极电荷 150nC -
栅极电压Vgs 20V 3V
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 140A 100A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 6793pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 330W 270W
输出电容 - 913pF
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5310pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.7mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥13.3875
50+ :  ¥10.9734
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 0 当前型号
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.904
1,000: ¥2.695
1,975 对比
AOT472 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R0-80PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
0 对比
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TO-220

暂无价格 0 对比
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TO-220-3

暂无价格 0 对比

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