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IRF3805STRLPBF  与  STB160N75F3  区别

型号 IRF3805STRLPBF STB160N75F3
唯样编号 A-IRF3805STRLPBF A-STB160N75F3
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 290 nC 300 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 210A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
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0 对比
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¥15.3761 

阶梯数 价格
170: ¥15.3761
400: ¥12.0249
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0 对比
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AOB66616L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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