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IRF3805STRLPBF  与  PSMN004-60B,118  区别

型号 IRF3805STRLPBF PSMN004-60B,118
唯样编号 A-IRF3805STRLPBF A-PSMN004-60B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 290 nC 300 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 230W
输出电容 - 1050pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 210A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
输入电容 - 8300pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥11.8159
400+ :  ¥10.0135
800+ :  ¥9.1867
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404

¥11.8159 

阶梯数 价格
210: ¥11.8159
400: ¥10.0135
800: ¥9.1867
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AOB66616L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥15.3761 

阶梯数 价格
170: ¥15.3761
400: ¥12.0249
800: ¥9.3794
0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
AOB66616L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 对比
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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