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IRF3805PBF  与  IPP100N04S204AKSA1  区别

型号 IRF3805PBF IPP100N04S204AKSA1
唯样编号 A-IRF3805PBF A-IPP100N04S204AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 300 W 190 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ@75A,10V -
产品特性 - 车规
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5300pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 172nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.6 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 290nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3805PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.3mΩ@75A,10V N-Channel 55V 210A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IPP100N04S204AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
IRF3805 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 75A(Tc) ±20V 330W(Tc) 3.3mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥13.589 

阶梯数 价格
20: ¥13.589
50: ¥11.1385
0 对比
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 对比

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