IRF3710ZSTRLPBF 与 PSMN015-100B,118 区别
| 型号 | IRF3710ZSTRLPBF | PSMN015-100B,118 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF3710ZSTRLPBF | A-PSMN015-100B,118 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@35A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 160W(Tc) | 300W |
| 输出电容 | - | 390pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | SOT404 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 59A | 75A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF @ 25V | - |
| 输入电容 | - | 4900pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 15mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2900pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF3710ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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AOB2910L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V |
￥5.102
|
800 | 对比 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN015-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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