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IRF3710ZSTRLPBF  与  AOB2910L  区别

型号 IRF3710ZSTRLPBF AOB2910L
唯样编号 A-IRF3710ZSTRLPBF A-AOB2910L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 7
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@35A,10V 23.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 32.5mΩ
Qgd(nC) - 2.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 59A 30A
Ciss(pF) - 1190
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 30
Td(off)(ns) - 20
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) 50W
Qrr(nC) - 145
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
Coss(pF) - 95
Qg*(nC) - 7
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥5.102
100+ :  ¥3.6765
400+ :  ¥3.1646
800+ :  ¥2.5
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 3,000 对比
AOB2910L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V

¥5.102 

阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN016-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 100V 57A

¥6.5622 

阶梯数 价格
210: ¥6.5622
400: ¥5.5612
800: ¥5.102
0 对比
STB60NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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