首页 > 商品目录 > > > > IRF3710ZPBF代替型号比较

IRF3710ZPBF  与  IPP16CN10NGXKSA1  区别

型号 IRF3710ZPBF IPP16CN10NGXKSA1
唯样编号 A-IRF3710ZPBF A-IPP16CN10NGXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC 160 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@35A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3220pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 59A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 16.5 毫欧 @ 53A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 61uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 53A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP40NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 1,000 对比
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A

暂无价格 1,000 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP16CN10NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP16CN10N G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥11.0802 

阶梯数 价格
20: ¥11.0802
50: ¥9.0821
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售