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IRF3710STRLPBF  与  PHB18NQ10T,118  区别

型号 IRF3710STRLPBF PHB18NQ10T,118
唯样编号 A-IRF3710STRLPBF A-PHB18NQ10T,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@28A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 79W
输出电容 - 103pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 57A 18A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
输入电容 - 633pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 90mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥6.6305
400+ :  ¥5.1399
800+ :  ¥4.0937
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥5.102
100: ¥3.6765
400: ¥3.1646
800: ¥2.5
800 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PHB18NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB18NQ10T_SOT404 N-Channel 79W 175℃ 3V 100V 18A

¥6.6305 

阶梯数 价格
170: ¥6.6305
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阶梯数 价格
180: ¥13.7127
400: ¥10.713
800: ¥8.7812
0 对比

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