IRF3710SPBF 与 SUM60N10-17-E3 区别
| 型号 | IRF3710SPBF | SUM60N10-17-E3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF3710SPBF | A-SUM60N10-17-E3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | Single N-Channel 100 V 16.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-263 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23mΩ@28A,10V | 16.5 mOhms @ 30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | 3.75W(Ta),150W(Tc) |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263AB |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | 57A | 60A(Tc) |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3130pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3130pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 35 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SUM60N10-17-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 16.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 35 | 对比 |
|
|
SUM60N10-17-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 16.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
