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IRF3709ZSTRRPBF  与  AOB418L  区别

型号 IRF3709ZSTRRPBF AOB418L
唯样编号 A-IRF3709ZSTRRPBF A-AOB418L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 6.3 mOhm Surface Mount HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.3mΩ@21A,10V 9.7 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 100V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 2.1W(Ta),333W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 87A 9.5A(Ta),105A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 15V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2130pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 83nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2130pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3709ZSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.3mΩ@21A,10V N-Channel 30V 87A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IPB065N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB065N03LGATMA1_±20V 56W(Tc) 6.5mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPB042N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N03LGATMA1_30V 70A 4.2mΩ 20V 79W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB05N03LB Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOB418L AOS  数据手册 功率MOSFET

9.5A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±12V 9.7 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.1W(Ta),333W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IPB055N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB055N03LGATMA1_30V 50A 5.5mΩ 20V 68W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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