首页 > 商品目录 > > > > IRF3703PBF代替型号比较

IRF3703PBF  与  STP105N3LL  区别

型号 IRF3703PBF STP105N3LL
唯样编号 A-IRF3703PBF A36-STP105N3LL
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 230 W 209 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 30V 80A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ@76A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 210A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8250pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 209nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 7V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8250pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 209nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3703PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.8mΩ@76A,10V N-Channel 30V 210A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP034N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT210L AOS 功率MOSFET

20A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±20V 2.9 mΩ @ 20A,10V TO-220 1.9W(Ta),176W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售