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IRF3703PBF  与  AOT210L  区别

型号 IRF3703PBF AOT210L
唯样编号 A-IRF3703PBF A-AOT210L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 230 W 209 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ@76A,10V 2.9 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),230W(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 210A 20A(Ta),105A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8250pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 209nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 58nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 7V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8250pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 209nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3703PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.8mΩ@76A,10V N-Channel 30V 210A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP034N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT210L AOS 功率MOSFET

20A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±20V 2.9 mΩ @ 20A,10V TO-220 1.9W(Ta),176W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
STP105N3LL STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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