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IRF3610STRLPBF  与  AOB412L  区别

型号 IRF3610STRLPBF AOB412L
唯样编号 A-IRF3610STRLPBF A-AOB412L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.6mΩ 15.5 mΩ @ 20A,10V
引脚数目 3 -
最小栅阈值电压 2V -
栅极电压Vgs - ±25V
封装/外壳 - TO-263(D?Pak)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 103A 8.2A(Ta),60A(Tc)
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
正向二极管电压 1.3V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 25V -
高度 4.83mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 77 ns -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) 333W 2.6W(Ta),150W(Tc)
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET -
栅极电荷Qg - 54nC @ 10V
典型接通延迟时间 15 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
正向跨导 110S -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3610STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 103A 11.6mΩ 333W

暂无价格 0 当前型号
AOB412L AOS 功率MOSFET

8.2A(Ta),60A(Tc) N-Channel ±25V 15.5 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.6W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
BUK7613-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7613-100E_SOT404 N-Channel 182W 175℃ 3V 100V 72A

¥12.6061 

阶梯数 价格
190: ¥12.6061
400: ¥9.697
800: ¥8.5814
0 对比

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